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三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠:HBM存储芯片容量提至24GB

2019-10-7 18:18| 发布者: | 查看: 14| 评论: 0

摘要:   作者:万南  10 月 7 日,三星电子宣布率先在业内开发出 12 层 3D-TSV(硅穿孔)技术。  随着集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战,其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三 ...

  作者:万南

  10 月 7 日,三星电子宣布率先在业内开发出 12 层 3D-TSV(硅穿孔)技术。

  随着集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战,其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称,他们得以将 12 片 DRAM 芯片通过 60000 个 TSV 孔连接,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

  总的封装厚度为 720μm,与当前 8 层堆叠的 HBM2 存储芯片相同,体现了极大的技术进步。

三星率先开发出 12 层 3D 硅穿孔堆叠:HBM 存储芯片容量提至 24GB

  这意味着,客户不需要改动内部设计就可以获得更大容量的芯片。同时,3D 堆叠也有助于缩短数据传输的时间。

三星率先开发出 12 层 3D 硅穿孔堆叠:HBM 存储芯片容量提至 24GB

  三星透露,基于 12 层 3D TSV 技术的 HBM 存储芯片将很快量产,单片容量从目前的 8GB 来到 24GB。

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